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Parametric beam instability of the electron bunch in a crystal

机译：晶体中电子束的参数束不稳定性

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Effect of the parametric beam instability (PBI) of the relativistic electron beam in a crystal was analyzed theoretically in (see also). This effect is analogous to self-amplification of spontaneous emission (SASE) mechanism for X-ray Free Electron Laser (XFEL) with an undulator. However, in the case of PBI the transversal modulation of the beam is denned by channeling of the electron in a crystal and the longitudinal modulation arises because of the parametric X-ray radiation mechanism. It is shown in the present paper that the current density J in the electron bunch typical for FEL facility is enough for the beam self-modulation within the X-ray range if the crystal thickness is larger than the crystal absorption length L approx＞ L_(abs). This process could be used for generation of the coherent X-ray pulses if the time T_d of the crystal destruction affected by the electron bunch is less than its passing time T_d ＜ L/c. The value T_d(J) is estimated for the case of the FLASH electron bunch propagating through a Si crystal.
机译：从理论上分析了晶体中相对论电子束的参数束不稳定性（PBI）的影响（另请参见）。此效果类似于带有波荡器的X射线自由电子激光（XFEL）的自发自发射（SASE）机制的自放大。但是，在PBI的情况下，光束的横向调制通过电子在晶体中的传输而受到限制，并且由于参数X射线辐射机制而产生了纵向调制。本文表明，如果晶体厚度大于晶体吸收长度L，大约＞ L_（），则在FEL设施中典型的电子束中的电流密度J足以在X射线范围内实现电子束的自调制。 abs）。如果受电子束影响的晶体破坏时间T_d小于其通过时间T_d ＜L / c，则该过程可用于产生相干X射线脉冲。对于FL电子束传播通过Si晶体的情况，估计值T_d（J）。

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