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首页> 外文会议>応用物理学会秋季学術講演会;応用物理学会 >InGaAs 量子ドット結合励起状態における集団的なスピンの緩和現象
【24h】

InGaAs 量子ドット結合励起状態における集団的なスピンの緩和現象

机译：InGaAs量子点激发态的集体自旋弛豫现象

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近年，電子の電荷とスピンの両方の性質を利用する光スピントロニクスに関する研究が注目を集めている．そこで，三次元量子閉じ込め効果により電子スピン状態を長時間保持できる半導体量子ドットに関心が集まり，特に発光強度と光学利得の観点から高密度量子ドットのスピンダイナミクスに関する研究が盛んに行われている[1]．量子ドットの高密度化に伴い，ドット間の波動関数が結合し，ドット間でのキャリアトンネルにより量子ドット集合状態の光学特性が大きく変化する[2]．そのため，高密度量子ドットを用いたスピン光デバイスの実現には，ドット間のスピントンネル現象とそれが誘起する光スピン特性への影響を明らかにする必要がある．本研究では，自己組織化成長法により作製したInGaAs 結合量子ドットのスピン緩和ダイナミクスに対するドット間スピントンネル効果を時間分解円偏光Photoluminescence (PL)測定により研究した
机译：近年来，利用电子的电荷和自旋特性的光学自旋电子学的研究已引起关注。因此，通过三维量子限制效应，可以长时间保持电子自旋态的半导体量子点已引起了广泛关注，特别是从发射强度和光学增益的角度，人们积极研究了高密度量子点的自旋动力学[ 1]。随着量子点密度的增加，点之间的波函数耦合，并且由于点之间的载流子隧道，量子点聚集态的光学性质发生了显着变化[2]。因此，为了实现使用高密度量子点的自旋光学器件，有必要弄清点之间的自旋隧穿现象以及由其引起的对光学自旋特性的影响。在这项研究中，我们通过时间分辨圆偏振光致发光（PL）测量研究了点间自旋隧穿效应对通过自组装生长方法制备的InGaAs耦合量子点的自旋弛豫动力学的影响。

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