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A Comparative Study of Two Iterative Linear Solvers Applied to Semiconductor Device Simulation

机译:两种迭代线性求解器在半导体器件仿真中的比较研究

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摘要

This paper presents an analysis of resolution methods and preconditioning techniques used for the solution of the sparse linear systems of equations arising from the semiconductor device simulation. This study has been carried out using a 3D parallel drif-diffusion device simulator for Implant Free heteroestructure MOSFETs.
机译:本文介绍了用于求解半导体器件仿真产生的稀疏线性方程组的解析方法和预处理技术的分析。这项研究是使用3D并行离心扩散装置模拟器对无植入异质结构MOSFET进行的。

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