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首页> 外文会议>Conference on advances in resist materials and processing technology XXVI; 20090223-25; San Jose, CA(US) >Resist process control for 32-nm logic node and beyond with NA > 1.30 immersion exposure tool
【24h】

Resist process control for 32-nm logic node and beyond with NA > 1.30 immersion exposure tool

机译：使用NA> 1.30浸没曝光工具抵抗32纳米及以上逻辑节点的工艺控制

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Resist process challenges for 32-nm node and beyond are discussed in this paper. For line and space (L/S) logic patterns, we examine ways to balance the requirements of resolution-enhancement techniques (RETs). In 32-nm node logic patterning, two-dimensional (2D) layout pattern deformation becomes more severe with stronger RET (e.g., narrow angle CQUAD illumination). Also pattern collapse more frequently happens in 2D-pattern layouts when stronger RET is used. In contrast, milder RET (annular illumination) does not induce the severe pattern collapse in 2D-pattern layout. For 2D-pattern layouts, stronger RET seems to worsen image contrast and results in high background-light in the resist pattern, which induces more pattern collapse. For the minimum-pitch L/S pattern in 32-nm node logic, annular illumination is acceptable for patterning with NA1.35 scanner when high contrast resist is used. For contact/via patterns, it is necessary to expand the overlapping CD process window. Better process margin is realized through the combination of hole-shrink technique and precise acid-diffusion control in an ArF chemically amplified resist.
机译：本文讨论了32纳米节点及更高工艺的抵抗工艺挑战。对于线和空间（L / S）逻辑模式，我们研究了平衡分辨率增强技术（RET）要求的方法。在32纳米节点逻辑图案中，二维（2D）布局图案的变形随着RET的增强（例如，窄角CQUAD照明）而变得更加严重。当使用更强的RET时，在2D图案布局中图案塌陷也更经常发生。相反，较温和的RET（环形照明）不会在2D图案布局中引起严重的图案塌陷。对于2D图案布局，较强的RET似乎会恶化图像对比度，并导致抗蚀剂图案具有较高的背景光，从而导致更多的图案塌陷。对于32纳米节点逻辑中的最小间距L / S图案，当使用高对比度抗蚀剂时，使用NA1.35扫描仪进行图案化时可以采用环形照明。对于接触/通孔图案，必须扩展重叠的CD处理窗口。通过在ArF化学放大抗蚀剂中结合使用孔收缩技术和精确的酸扩散控制，可以实现更好的工艺裕度。

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