Singapore Microelectronics Modeling Center (SMMC), Agilent Technologies 438 Alexandra Road, Singapore 119958;
parameter extraction; bipolar transistor modeling; compact models; SiGe HBT; VBIC; model conversion;
机译:VBIC双极紧凑模型的SiGe HBT的直接参数提取
机译:使用VBIC模型对SiGe HBT进行高级SPICE建模
机译:具有异质结势垒效应统一模型的改进的SiGe HBT VBIC模型
机译:通过Gummel-Poon模型提取SiGe HBT的VBIC模型
机译:SiGe HBT和RF CMOS的高频噪声建模和微观噪声仿真。
机译:SiGe HBT局部应力过程中Au / Pt / Ti-Si3N4界面缺陷和反应的STEM纳米分析
机译:AlGaAs / GaAs HBT的新型改进的Gummel-Poon模型和VBIC的比较