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首页> 外文会议>Conference on Emerging Lithographic Technologies VIII pt.2; 20040224-20040226; Santa Clara,CA; US >Lateral shearing interferometer for EUVL: Theoretical analysis and experiment
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Lateral shearing interferometer for EUVL: Theoretical analysis and experiment

机译：EUVL横向剪切干涉仪：理论分析与实验

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We present the theoretical measurement accuracy analysis for at wavelength characterization of the projection lens to be used in extreme-ultraviolet lithography (EUVL) and the first experimental result from the lateral shearing interferometer (LSI) test system. LSI is one of the potential candidates for high Numerical Aperture (NA) optics testing at the EUV region during alignment of the projection optics. To address the problem of multiple-beam interference, we propose a general approach for derivation of a phase-shift algorithm that is able to eliminate the undesired 0th order effect. The main error source effects including shear ratio estimation, hyperbolic calibration, charge coupled device (CCD) size effect, and CCD tilt effect are characterized in detail. The total measurement accuracy of the LSI is estimated to be within 7mλ rms (0.1 nm rms at 13.5 nm wavelength).
机译：我们介绍了用于极紫外光刻（EUVL）的投影透镜的波长特性的理论测量精度分析，以及横向剪切干涉仪（LSI）测试系统的第一个实验结果。 LSI是在投影光学器件对准期间在EUV区域进行高数值孔径（NA）光学器件测试的潜在候选者之一。为了解决多光束干扰的问题，我们提出了一种通用的方法来推导相移算法，该算法能够消除不希望的0阶效应。详细描述了主要的误差源效应，包括剪切比估算，双曲线校准，电荷耦合器件（CCD）尺寸效应和CCD倾斜效应。 LSI的总测量精度估计在7mλrms以内（在13.5 nm波长下为0.1 nm rms）。

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