Association of Super-Advanced Electronics Technologies (ASET) EUV Process Technology Research Laboratory c/o NTT Atsugi RD Center, 3-1 Morinosato, Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan;
EUVL mask; multilayer mask blank; defect; repair; aerial image;
机译:使用EUV光发射电子显微镜检查EUVL掩模的空白缺陷和图案化掩模
机译:通过光电子显微镜对EUVL掩模空白缺陷进行光化检查:检查波长变化的影响
机译:使用详细的成分分析来开发低缺陷Mo / Si沉积工具和EUVL掩模坯料的工艺
机译:EUVL多层掩模空白缺陷的缓解,可实现无缺陷EUVL掩模的制造
机译:校正策略以补偿在EUVL掩模卡盘过程中引起的图像放置错误。
机译:镁合金AZ31B的热冲切中的剪切边缘特征
机译:EUVL掩模空白缺陷对32-NM HP节点的可检测性和可打印性
机译:EUVL掩模空白低缺陷多层膜的研究进展