首页> 外文会议>Conference on High Temperature Superconductivity Coral Gables, Florida January 7-13 1999 >Doping dependence of electronic structure in Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+x)
【24h】

Doping dependence of electronic structure in Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+x)

机译:Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8 + x)中电子结构的掺杂依赖性

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摘要

We report on angle-resolved photoemission and superconductor-insulator-superconductor tunneling measurements of the normal and superconducting states of Bi_2Sr_2Cu_2O_(3+ delta ) single crystal samples and Bi_2Sr_2Cu_2O_(8+ delta )-native oxide-lead (S-I-S) tunnel junctions. (1-7)
机译:我们报告了Bi_2Sr_2Cu_2O_(3+ delta)单晶样品和Bi_2Sr_2Cu_2O_(8+ delta)-天然氧化物-铅(S-I-S)隧道结的正常和超导状态的角度分辨光发射和超导体-绝缘体-超导体隧穿测量。 (1-7)

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