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首页> 外文会议>Conference on Micro- and Nanoelectronics; 20031006-20031010; Zvenigorod; RU >Comparative study of inductively coupled and microwave BF_3 plasmas for microelectronic technology applications
【24h】

Comparative study of inductively coupled and microwave BF_3 plasmas for microelectronic technology applications

机译：微电子技术应用中的感应耦合和微波BF_3等离子体的比较研究

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A comparison of ICP and microwave plasma sources was carried out under the same discharge conditions, in the same discharge chamber and using the same diagnostics method. Investigations were fulfilled in a wide range of external discharge parameters (at pressures 0.5 - 20 mTorr and for powers deposited in the plasma 400 - 1500 W) in boron trifluoride and in argon discharges. A variety of plasma parameters (T_e, n_e, n_+, EEDF) and their radial profiles at a 2 cm distance above a wafer holder were determined by using single Langmuir probe technique. Analysis of measurements has shown that the charged particles concentrations in ICP plasma are higher than are obtainable in microwave discharge, for deposited power 1.2kW the ICP source produced ion number density ～10~(12) cm~(-3). The required plasma uniformity can be maintained in ICP plasma over a more wide range of external discharge parameters then in microwave plasma. The use of microwave plasma source gives a bi-Maxwellian type EEDF, whereas the EEDF of ICP plasma is close to the single Maxwellian distribution with electron temperature higher then the temperature of cold electrons in microwave discharge. BF_3 plasma is electronegative, with a degree of electronegativity ～0.3-0.5 for both plasma sources.
机译：在相同的放电条件下，在相同的放电室中，使用相同的诊断方法对ICP和微波等离子体源进行了比较。在三氟化硼和氩气放电中，在各种外部放电参数（压力为0.5-20 mTorr，等离子体中沉积的功率为400-1500 W）中进行了广泛的研究。通过使用单个Langmuir探针技术确定了各种等离子体参数（T_e，n_e，n _ +，EEDF）及其在晶片支架上方2 cm处的径向轮廓。测量分析表明，ICP等离子体中的带电粒子浓度高于微波放电中可获得的浓度，对于1.2kW的沉积功率，ICP源产生的离子数密度约为10〜（12）cm〜（-3）。与微波等离子体相比，ICP等离子体可以在更大范围的外部放电参数上保持所需的等离子体均匀性。微波等离子体源的使用产生了双麦克斯韦式EEDF，而ICP等离子体的EEDF接近单一麦克斯韦分布，其电子温度高于微波放电中冷电子的温度。 BF_3等离子体是负电性的，两个等离子体源的负电性程度均为〜0.3-0.5。

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