Next generation mask metrology tool

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• 来源
  《Conference on Photomask and Next-Generation Lithography Mask Technology IX, Apr 23-25, 2002, Yokohama, Japan》|2002年|p.758-768|共11页
• 会议地点 Yokohama(JP)
• 作者

  Gerhard Schlueter; Klaus-Dieter Roeth; Carola Blaesing-Bangert; Michael Ferber;

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• 作者单位

  Leica Microsystems Semiconductor GmbH Ernst-Leitz-Str. 17-37, D-35578 Wetzlar, Germany;

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• 会议组织
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 无线电电子学、电信技术;
• 关键词

  optical measurement system; pattern placement metrology; overlay measurement; registration measurement; critical dimension measurement; CD measurement; transmitted light; reflected light; I-line illumination; 230 mm photo mask; 300 mm wafer;

  机译：光学测量系统；图案放置量测;叠加测量；登记量度；临界尺寸测量； CD测量；透射光反射光I线照明； 230毫米光罩; 300毫米晶圆;