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首页> 外文会议>Conference on Ultrafast Phenomena in Semiconductors Ⅴ Jan 25-26, 2001, San Jose, USA >Femtosecond-Scale Response of Semiconductors to Laser Pulses
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Femtosecond-Scale Response of Semiconductors to Laser Pulses

机译：飞秒级的半导体对激光脉冲的响应

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We report simulations of the response of InSb, GaAs, and Si to 70-femtosecond laser pulses of various intensities. In agreement with the experiments of Mazur and coworkers, and other groups, there is a nonthermal phase transition for each of these semiconductors above a threshold intensity. Our simulations employ tight-binding electron-ion dynamics (TED), a technique which is briefly described in the text. In the experimental pump-probe observations, the dielectric function ε(ω) and the second-order susceptibility χ~((2)) can be measured. These same quantities can be calculated during a TED simulation, and there is good agreement in the behavior with respect to both time and frequency. The simulations provide much additional microscopic information which is experimentally inaccessible: for example, the time-dependence of the atomic pair-correlation function, electronic energy bands, occupancies of excited states, kinetic energy of the atoms, and excursions of atoms from their initial positions.
机译：我们报告了模拟InSb，GaAs和Si对不同强度的70飞秒激光脉冲的响应。与Mazur及其同事以及其他小组的实验一致，这些半导体中的每一个都有一个高于阈值强度的非热相变。我们的仿真采用紧密结合的电子离子动力学（TED），本文简要介绍了一种技术。在实验泵浦观测中，可以测量介电函数ε（ω）和二阶磁化率χ〜（（2））。可以在TED仿真过程中计算出这些相同的数量，并且在时间和频率方面的行为都有很好的一致性。模拟提供了实验上无法获得的许多其他微观信息：例如，原子对相关函数的时间依赖性，电子能带，激发态的占有率，原子的动能以及原子从其初始位置的偏移。

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