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Layout pattern Minimization for Next-Generation Technologies

机译：下一代技术的布局图案最小化

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Is it argued that computational lithography is made tractable by limiting the number of unique layout patterns in the design. The use of regular design fabrics have been proposed and successfully used to create designs by introducing deviations to an underlying regular fabric. However, using a pessimistic optical interaction range based on theoretical calculations has shown that we are not able to sufficiently limit the layout patterns even after using a very regular layout methodology. In this paper we describe a methodology to determine a more realistic optical interaction range for regular design fabrics and apply it to the 32 nm technology node to demonstrate that the optical interaction range can be limited to 2-3 pitches as compared to 10 pitches based on a pessimistic theoretical estimation. We discuss results that demonstrate that layouts created using templates on a regular design fabric enable sufficient pattern control for deterministic source mask optimization (SMO). We also discuss the methodology for classifying patterns into equivalent pattern classes to reduce the total number of patterns required for process characterization.
机译：是否通过限制设计中唯一的布局图案的数量而使计算光刻变得易于处理？已经提出使用常规设计织物，并通过将偏差引入底层常规织物来成功地用于创建设计。然而，基于理论计算使用悲观的光学相互作用范围已经表明，即使在使用非常规则的布局方法后，我们也无法充分限制布局图案。在本文中，我们描述了一种确定常规设计织物更实际的光学相互作用范围的方法，并将其应用于32 nm技术节点，以证明光学相互作用范围可以限制为2-3个螺距，相比之下，基于10个螺距，悲观的理论估计。我们讨论的结果表明，使用常规设计结构上的模板创建的布局可为确定性源蒙版优化（SMO）提供足够的图案控制。我们还将讨论将模式分类为等效模式类的方法，以减少过程表征所需的模式总数。

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