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首页> 外文会议>Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Chemical Mechanical Polishing 8; 20061029-1103;20061029-1103; Cancun(MX);Cancun(MX) >Composite Polymer Core - Silica Shell Abrasive Particles during Oxide CMP: A Defectiviry Study
【24h】

Composite Polymer Core - Silica Shell Abrasive Particles during Oxide CMP: A Defectiviry Study

机译：复合聚合物核-氧化物CMP过程中的硅壳磨料颗粒：缺陷病毒研究

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Chemical Mechanical Planarization (CMP) is a triboelectrochemical process dominated by mechanical and chemical-assisted wear. The choice of the abrasive is of fundamental importance. Oxide CMP results using two different 350 nm polymer-core / 30 nm colloidal silica-shell composite abrasive particles are compared with oxide CMP performances of 30 nm and 90 nm colloidal silica abrasives in terms of removal rate and surface finishing. The composites are achieved by either creating chemical bonds by silane coupling agents or tuning the pH in order to form electrostatic attractive interactions between core and shell. Oxide CMP is considered as an easy test vehicle for defectiviry characterization and comparison between different abrasives providing the same oxide thickness removed. Due to the higher complexity of the composite abrasive with respect to the simple silica particle-wafer system, we combine different surface analysis techniques with methods of defect quantification and enhancement. Fewer and shallower scratches are detected for the composites with respect to colloidal silica.
机译：化学机械平面化（CMP）是一种摩擦电化学过程，主要由机械和化学辅助磨损引起。磨料的选择至关重要。在去除率和表面光洁度方面，将使用两种不同的350 nm聚合物核/ 30 nm胶体二氧化硅壳复合磨料颗粒的氧化物CMP结果与30 nm和90 nm胶体二氧化硅磨料的氧化物CMP性能进行了比较。通过硅烷偶联剂产生化学键或调节pH值以在核与壳之间形成静电吸引相互作用，可以实现复合材料的生产。氧化物CMP被认为是容易进行缺陷病毒表征和在提供相同氧化物厚度的不同磨料之间进行比较的测试工具。由于复合磨料相对于简单的二氧化硅颗粒-晶片系统而言具有更高的复杂性，因此我们将不同的表面分析技术与缺陷量化和增强方法相结合。就胶体二氧化硅而言，检测到的复合物的划痕更少而更浅。

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