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首页> 外文会议>Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Electrochemical Processing in ULSI and MEMS; 20070506-10;20070508-09; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US) >Porous Gold Structures Built on Silicon Substrates
【24h】

Porous Gold Structures Built on Silicon Substrates

机译：硅基底上的多孔金结构

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In this work, we describe the synthesis of porous Au structures by galvanic displacement reaction using porous Si as template material. Two metal ions were used as Au precursors: tetrachloroaurate(III) and bis(ethylenediamine)Au(III). Fluoride was employed to etch the Si oxides that form as a result of the displacement reaction. The porous Si layer employed as template displays an array of parallel cylindrical pores with diameters near 100 nm. The porous metal layer that forms with tetrachloroaurate(III) is an agglomerate of spherical particles with ca. 100 nm diameters. On the other hand, metallization with bis(ethylenediamine)Au(III) preserves the honeycomb morphology of the original porous Si layer.
机译：在这项工作中，我们描述了使用多孔硅作为模板材料通过电流置换反应合成多孔金结构的方法。两种金属离子用作Au前体：四氯金酸酯（III）和双（乙二胺）Au（III）。氟化物用于蚀刻由于置换反应而形成的Si氧化物。用作模板的多孔硅层显示出直径接近100 nm的平行圆柱孔阵列。与四氯金酸酯（III）形成的多孔金属层是球形颗粒的聚集体，其直径约为。直径为100 nm。另一方面，用双（乙二胺）Au（III）进行金属化可保留原始多孔硅层的蜂窝形态。

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