首页> 外文会议>Ferroelectric Thin Films XII >Characterization of Metal-Ferroelectric-Metal-Insulator-Semiconductor (MFMIS) FETs Using (Sr,Sm)_(0.8)Bi_(2.2)Ta_2O_9 (SSBT) Thin Films

【24h】

Characterization of Metal-Ferroelectric-Metal-Insulator-Semiconductor (MFMIS) FETs Using (Sr,Sm)_(0.8)Bi_(2.2)Ta_2O_9 (SSBT) Thin Films

机译：使用（Sr，Sm）_（0.8）Bi_（2.2）Ta_2O_9（SSBT）薄膜表征金属-铁电金属-绝缘体-半导体（MFMIS）FET

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

We have fabricated and characterized Pt (60nm) / (Sr,Sm)_(0.8)Bi_(2.2)Ta_2O_9 (SSBT, 130nm) / Pt (60nm) / Ti (10nm) / SiO_2 (10nm) / p-Si (MFMIS:metal-ferroelectric-metal-insulator-semiconductor) structure FETs. The area ratio, the ratio of SSBT capacitor area to SiO_2 capacitor, is varied from 1 to 15 in the MFMIS-FETs. It is demonstrated that MFMIS-FETs with area ratio of 6 have memory window of 0.5V with supply voltage of 5V. Dependence of memory window on the area ratio is discussed.

机译：我们已经制造并表征了Pt（60nm）/（Sr，Sm）_（0.8）Bi_（2.2）Ta_2O_9（SSBT，130nm）/ Pt（60nm）/ Ti（10nm）/ SiO_2（10nm）/ p-Si（MFMIS）：金属铁电体-金属-绝缘体-半导体）结构的FET。在MFMIS-FET中，SSBT电容器的面积与SiO_2电容器的面积之比在1到15之间变化。事实证明，面积比为6的MFMIS-FET具有0.5V的存储窗口和5V的电源电压。讨论了存储窗口对面积比的依赖性。

著录项

来源
《Ferroelectric Thin Films XII》|2003年|P.485-490|共6页
会议地点 Boston MA(US);Boston MA(US)
作者
Hirokazu Saiki; Eisuke Tokumitsu;
展开▼
作者单位

Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, 226-8503, Japan;

展开▼
会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类材料;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Frequency Dependent Ferroelectric Properties of BaZrO_3 Modified Sr_(0.8)Bi_(2.2)Ta_2O_9 Thin Films [J] . Mehmet S. Bozgeyik Chinese Journal of Physics . 2013,第2期

机译：BaZrO_3改性Sr_（0.8）Bi_（2.2）Ta_2O_9薄膜的频率相关铁电性能
2. Effect of Ba and Zr doping in Sr_(0.8)Bi_(2.2)Ta_2O_9 thin films [J] . Mehmet S. Bozgeyik, J.S. Cross, H. lshiwara, Materials Science and Engineering . 2009,第1a3期

机译：Ba和Zr掺杂对Sr_（0.8）Bi_（2.2）Ta_2O_9薄膜的影响
3. Ferroelectric Properties of BaZrO_3 Doped Sr_(0.8)Bi_(2.2)Ta_2O_9 Thin Films [J] . Mehmet S. Bozgeyik, Jeffrey S. Cross, Hiroshi Ishiwara, Japanese journal of applied physics . 2009,第6issue1期

机译：BaZrO_3掺杂Sr_（0.8）Bi_（2.2）Ta_2O_9薄膜的铁电性能
4. Characterization of Metal-Ferroelectric-Metal-Insulator-Semiconductor (MFMIS) FETs Using (Sr,Sm)_(0.8)Bi_(2.2)Ta_2O_9 (SSBT) Thin Films [C] . Hirokazu Saiki, Eisuke Tokumitsu, Materials Research Society, MRS Meeting . 2004

机译：使用（SR，SM）_（0.8）Bi_（2.2）Ta_2O_9（SSBT）薄膜的金属 - 铁电 - 金属 - 绝缘体 - 半导体（MFMIS）FET的表征
5. Kinetic studies and material characterization of the mixed metal oxides La(1-x)Sr(x)CrO(3) and SrCo(0.8)Fe(0.2)O(3-delta) (Lanthanum chromites, Strontium cobalt iron oxide). [D] . Wagner, Aaron Lewis. 1999

机译：混合金属氧化物La（1-x）Sr（x）CrO（3）和SrCo（0.8）Fe（0.2）O（3-delta）（亚铬酸镧，锶钴铁氧化物）的动力学研究和材料表征。
6. Mapping electrochemically driven gas exchange of mixed conducting SrTi0.7Fe0.3O3 − δ and Ce0.8Gd0.2O1.9 thin films by 18O tracer incorporation under reducing atmosphere [O] . Andreas Nenning, Edvinas Navickas, Peter Velicsanyi, -1

机译：通过在还原性气氛下引入18O示踪剂绘制SrTi0.7Fe0.3O3-δ和Ce0.8Gd0.2O1.9混合导电薄膜的电化学驱动气体交换图
7. Preparation and Characterization of (La0.8Sr0.2)0.95MnO3−δ(LSM) Thin Films and LSM/LSCF Interface for Solid Oxide Fuel Cells [O] . Jong-Jin Choi, Wantao Qin, Mingfei Liu, 2011

机译：（LA0.8SR0.2）0.95mNO3-δ（LSM）薄膜和用于固体氧化物燃料电池的LSM / LSCF界面的制备和表征

Characterization of Metal-Ferroelectric-Metal-Insulator-Semiconductor (MFMIS) FETs Using (Sr,Sm)_(0.8)Bi_(2.2)Ta_2O_9 (SSBT) Thin Films

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅