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Stress evolution in integrated SrBi_2Ta_2O_9 ferroelectric layers

机译：集成SrBi_2Ta_2O_9铁电层中的应力演化

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In our integration scheme, a "pseudo-3D" capacitor cell is used where the TiAlNIrIrO_2Pt bottom electrode is patterned before SBT deposition. In order to understand how this system behaves mechanically, we have investigated the evolution of the stress of blanket Sr_(1-x)Bi_(2+y)Ta_2O_9 (x, y < 0.5) layers deposited on this pre-patterned bottom electrode stack. SBT was deposited by metal organic vapor deposition (MOCVD) between 405℃ and 440℃. The stresses were monitored by the change in the radius of curvature of the wafer at the subsequent processing steps: deposition of electrodes and SBT, crystallization and recovering annealing, and after removal of Pt top electrode, SBT and bottom electrode layers by dry etching. The stress conditions observed for the different planar layers as a function of the SBT deposition temperature was correlated to the TiAlN lateral oxidation length observed in the etched structure after the SBT crystallization step.
机译：在我们的集成方案中，使用“伪3D”电容器单元，其中在SBT沉积之前对TiAlNIrIrO_2Pt底部电极进行构图。为了了解该系统的机械性能，我们研究了沉积在该预构图的底部电极堆上的覆盖层Sr_（1-x）Bi_（2 + y）Ta_2O_9（x，y <0.5）层的应力演变。 SBT是在405℃至440℃之间通过金属有机气相沉积（MOCVD）沉积的。在随后的处理步骤中，通过晶片曲率半径的变化来监测应力：电极和SBT的沉积，结晶和恢复退火，以及通过干法蚀刻去除Pt顶部电极，SBT和底部电极层后，监测应力。在不同的平面层上观察到的应力条件是SBT沉积温度的函数，与在SBT结晶步骤之后在蚀刻结构中观察到的TiAlN横向氧化长度相关。

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