Max-Planck-Institut fuer Mikrostrukturphysik, Weinberg 2, D-06120 Halle (Saale), Germany;
机译:改善溅射PB_(1.10)的电性能(Zr_(0.52),Ti_(0.48))O_3 / PB_(1.25)(Zr_(0.52),Ti_(0.48))O_3多层薄膜
机译:Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3 / Ni_(0.8)Zn_(0.2)Fe_2O_4 / Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48)界面上的局部应变场的原位X射线微衍射分析))O_3三层结构
机译:通过基板与Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3膜之间的热膨胀失配来控制应力的Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3厚膜
机译:外延PB的生长模型(ZR_(0.52)TI_(0.48))O_3纳米岛
机译:镧锶锰(LA0.67SR0.33MNO3)和锆钛酸铅(PBZR0.52TI0.48O3)薄膜异质结构中的自极化感应磁电耦合
机译:在高度c轴取向的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜中具有超低应变滞后的大压电应变并且在非晶玻璃基板上呈柱状生长
机译:纳米片控制玻璃基板上PbZr0.52Ti0.48O3薄膜的外延生长
机译:外延pb(0.92)La(0.08)Zr(0.52)Ti(0.48)O(3)中增强的介电非线性。