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Local Hysteresis Behavior of Ferroelectric Thin Films of Si added PbTiO_3

机译：Si添加PbTiO_3的铁电薄膜的局部磁滞行为

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We report ferroelectric properties and local hysteresis behavior of 2 mole percent Si added PbTiO_3 thin films grown on Pt/TiO_2/SiO_2/Si substrate by using pulsed laser deposition technique. The ferroelectric hysteresis loop and scanning piezoresponce images obtained on these films by using AFMwith conducting tip demonstrate excellent properties, which are equivalent to any other established ferroelectric material like PZT. Si segregating at the grain boundaries controls grain growth. The grain size and grain boundaries play a crucial role in determining ferroelectric hysteresis properties. The presence of Si in the matrix can be useful in tuning the properties.
机译：我们报告了使用脉冲激光沉积技术在Pt / TiO_2 / SiO_2 / Si衬底上生长的2摩尔百分比的Si添加的PbTiO_3薄膜的铁电性能和局部磁滞行为。通过使用带有导电尖端的AFM在这些薄膜上获得的铁电磁滞回线和扫描压电响应图像显示出优异的性能，这与任何其他已建立的铁电材料（例如PZT）相同。 Si在晶界处的偏析控制了晶粒的生长。晶粒尺寸和晶界在确定铁电磁滞特性方面起着至关重要的作用。基质中Si的存在可能有助于调整特性。

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