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首页> 外文会议>Fourth International Symposium on Ionic and Mixed Conducting Ceramics, null >ON HOLE CONDUCTIVITY ESTIMATION OF CUPROUS-CONDUCTING SOLID ELECTROLYTES
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ON HOLE CONDUCTIVITY ESTIMATION OF CUPROUS-CONDUCTING SOLID ELECTROLYTES

机译：导电固体电解质的孔电导率估计

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Investigations of a Cu/RbCu_4Cl_3I_2/C cell were carried out by galvanostatic and potentiostatic methods. A 1μm layer of cuprous oxide Cu_2O was discovered at the interface of the copper electrode with RbCu_4Cl_3I_2. This layer changes the course of the electrochemical reaction Cu~0 ― e = Cu~+ with participation of metallic copper. In this case the electrochemical reaction with Cu~(2+) ion participation: Cu~+ ― e = Cu~(2+) takes place at the Cu_2O/RbCu_4Cl_3I_2 interface. The exchange current density of this reaction is about (4+-2)x10~(-6) A cm~(-2). At potentials below the decomposition potential of the RbCu_4Cl_3I_2 electrolyte, electrochemical processes in the cell are controlled by the slow diffusion of copper electronic defects in the electrolyte. The electronic-defect conductivity (by means of Cu~(2+) ions or holes) of RbCu_4Cl_3I_2 is equal to 1.2x 10~(-7) S cm~(-1). The electronic-defect conductivity of Cu~+-conducting solid electrolytes is estimated using the value of the cathodic limiting current at the RbCu_4Cl_3I_2/C interface.
机译：通过恒电流和恒电位方法对Cu / RbCu_4Cl_3I_2 / C电池进行了研究。在铜电极与RbCu_4Cl_3I_2的界面处发现了1μm的氧化亚铜Cu_2O层。该层在金属铜的参与下改变了电化学反应的过程Cu〜0〜e = Cu〜+。在这种情况下，具有Cu〜（2+）离子参与的电化学反应：Cu〜+-e = Cu〜（2+）在Cu_2O / RbCu_4Cl_3I_2界面发生。该反应的交换电流密度约为（4 + -2）×10 10-（-6）A cm 2-（-2）。在低于RbCu_4Cl_3I_2电解质分解电位的电位下，电池中的电化学过程受电解质中铜电子缺陷的缓慢扩散控制。 RbCu_4Cl_3I_2的电子缺陷电导率（通过Cu〜（2+）离子或空穴）等于1.2x 10〜（-7）S cm〜（-1）。使用RbCu_4Cl_3I_2 / C界面上的阴极极限电流值，可以估算出导电的Cu〜+固体电解质的电子缺陷电导率。

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