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首页> 外文会议>Growth, characterisation and applications of bulk II-VIs >Can percolation control doping, diffusion and phase segregation in (Hg, Cd)Te?
【24h】

Can percolation control doping, diffusion and phase segregation in (Hg, Cd)Te?

机译：渗滤可以控制（Hg，Cd）Te中的掺杂，扩散和相偏析吗？

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We show that percolation can control not only diffusion in solids, but in the case of semiconductors also their electrical activity, via the doping action of the diffusing species. This occurs in (Hg_1-xCd_x) when x_CD < 0.8. The 10~7 times higher diffusivity at x_CD < 0.8 can be understood by realizing that the percolation threshold for an ideal FCC lattice is at 0.19. While normally Ag is a donor, it can be an acceptor by stabilizing the Hg(I) state. This is possible by interaction with 2 Hg neighbors, a process that will be favorable above the Hg percolation limit. The fast Ag diffusion also holds the clue for the occurrence of ultra-low concentration phase separation in this system, the result of a balance between elastic attraction and Coulombic repulsion between the charged dopants. Prima facie evidence for this phase separation comes from coulometric Ag titration in and out of MCT. direct c 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
机译：我们表明，渗流不仅可以控制固体中的扩散，而且在半导体的情况下，还可以通过扩散物质的掺杂作用来控制其电活动。当x_CD <0.8时，会在（Hg_1-xCd_x）中发生。通过认识到理想FCC晶格的渗透阈值为0.19，可以理解在x_CD <0.8时，扩散率高10到7倍。通常，Ag是供体，但通过稳定Hg（I）状态，它可以成为受体。通过与2个Hg邻域的相互作用，这是可能的，该过程在Hg渗滤极限以上将是有利的。 Ag的快速扩散也为该系统中超低浓度相分离的发生提供了线索，这是带电掺杂剂之间的弹性吸引和库仑排斥之间平衡的结果。这种相分离的初步证据来自库仑法银滴定法进出MCT。直接c 1999 Elsevier Science B.V.保留所有权利。

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