Beijing University of Technology Beijing China;
Temperature distribution; Nonhomogeneous media;
机译:SiC功率MOSFET电热不稳定性的实验分析
机译:分析PowerMOSFET芯片热不稳定性
机译:SiC功率MOSFET中的热不稳定性效应
机译:在线性区域工作的功率MOSFET:K增益因子对热不稳定性的危险影响
机译:大信号电热LDMOSFET建模以及RF功率放大器中的热存储效应。
机译:具有多个外延层的150–200 V分离栅沟道功率MOSFET
机译:采用SiC功率MOSFET和定制散热设计的稳健的无缓冲软开关功率转换器
机译:功率mOsFET热不稳定性操作表征支持