Electrical Engineering Department University of Al Azhar Indonesia Jakarta Indonesia;
The Agency for the Assessment and the Application of Technology BPPT Serpong Indonesia;
Indium gallium arsenide; Semiconductor lasers; Photonics; Charge carrier density; Power generation; Mathematical model; Threshold current;
机译:具有EDFA的InGaAsP应变栅的应变补偿0.98μmInGaAs / InGaP / GaAs激光器的高度可靠的操作
机译:1.5- / spl mu / m InGaAsP-InP分布式反馈半导体激光器中的短期波长变化
机译:应变四面体半导体材料增益的8波段k.p理论:在1.3 / spl mu / m-InGaAsP激光器上施加额外的外部单轴应力的应用
机译:使用Ingaas IngaAsp材料在波长1480nm下使用Ingaas IngaAsp的比较功率进行EDFA泵送方案
机译:高功率铝的制造:用于光学泵浦的0.8微米至1.0微米的InGaAsP / InGaP / GaAs激光器
机译:掺有随机分布反馈光纤激光器的高功率超长波长掺T硅光纤激光器
机译:可调激光器。可调半导体激光器。 1.3-1.5.MM.M ingaASP可调半导体激光器。
机译:长波长INGaas / InGaasp量子阱激光器在[约] 2.0微米