Institut Néel CNRS BP 166 25 rue des Martyrs 38042 Grenoble Cedex 9 France;
FEI Company Achtseweg Noord 5 5651 GG Eindhoven The Netherlands;
CEA-Grenoble INAC/SP2M 38054 Grenoble France;
机译:GaN / AlN纳米线超晶格中的弹性应变松弛
机译:甘纳米线的AlGaN / ALN超晶格评估为电子泵浦紫外源的有源区
机译:GaN(0001)衬底上GaN / AlN超晶格中的应变弛豫:结合的超晶格到衬底晶格失配和厚度依赖效应
机译:用于纳米衍射应变测量的电子衍射图的图像处理的影响
机译:扫描纳米束电子衍射的原位变形研究
机译:在原始GaN(0001)衬底上生长的GaN / AlN超晶格中应变弛豫的特殊性:XRD和AFM的比较研究
机译:使用几何相分析,会聚束电子衍射和纳米束衍射研究半导体纳米线 - 基底界面处的应变
机译:无掺杂GaN / alN / alGaN径向纳米线异质结构作为高电子迁移率晶体管。