首页> 外文会议>International Conference on Single Crystal Growth and Heat amp; Mass Transfer(ICSC-2003) vol.2; 20030922-26; Obninsk(RU) >NUMERICAL ANALYSIS OF HEAT TRANSFER AND FLOWS IN LIQUID ENCAPSULATED CZ GROWTH OF GaAs CRYSTALS
【24h】

NUMERICAL ANALYSIS OF HEAT TRANSFER AND FLOWS IN LIQUID ENCAPSULATED CZ GROWTH OF GaAs CRYSTALS

机译:GaAs晶体液体包裹的CZ生长中传热和流动的数值分析

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摘要

Results of global heat transport computations for vapor pressure controlled Czochralski growth (VCZ) are analyzed to reveal basic heat transfer mechanisms in a VCZ facility. 2D computations of conjugated melt and encapsulant flows demonstrate the crucible rotation effect on the crystallization front shape.
机译:分析了蒸汽压控制的切克劳斯基生长(VCZ)的全球热传输计算结果,以揭示VCZ设施中的基本传热机理。共轭熔体和密封剂流动的2D计算证明了坩埚旋转对结晶前沿形状的影响。

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