Institute of mathematical modelling RAS (Moscow, Russia);
机译:GaSb在具有AlSb引发层的Si(001)衬底上的初始生长阶段
机译:透射电子显微镜研究分子束外延法在Si(001)衬底上生长的GaSb的初始生长阶段
机译:Bi-15 at的快速凝固箔的晶粒结构的稳定性。百分比的掺有Al,Ga,Ge,In,Sin,S和Zn的Sb合金
机译:用AHP法测定掺杂Sb掺杂的实验初始阶段的SB再分红化
机译:转移瓶颈检测(SBD)方法的比较分析及SBD的实用框架
机译:两种用于SBRT治疗的图像指导方法的初步经验和临床比较:4DCT与呼吸触发成像
机译:Dy3 +掺杂的4.4μmGeGaSbS荧光光纤用于光学气体传感:模拟和实验的比较
机译:通过分析电子显微镜研究处理bi-2223复丝带的初始阶段