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首页> 外文会议>International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada >WAFER EDGE AND INTERFEROMETRY LIMITATIONS IN LOW OPEN AREA ETCH ENDPOINT DETECTION USING OPTICAL EMISSION SPECTROSCOPY
【24h】

WAFER EDGE AND INTERFEROMETRY LIMITATIONS IN LOW OPEN AREA ETCH ENDPOINT DETECTION USING OPTICAL EMISSION SPECTROSCOPY

机译：利用光学发射光谱技术在低开光面积蚀刻终点检测中的晶片边缘和干涉测量限制

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In low open area etches, endpoint detection using optical emission spectroscopy has proven very challenging in manufacturing despite the apparent successes in research and development. Here, we identify two barriers facing the implementation of robust endpoint detection. 1) Depending on processing conditions, the edge of the wafer contributes between 1% and 6% open area to the etch, and thus cannot be neglected in the endpoint detection scheme for etches where the patterned area is <10% open area. 2) Thin film interferometry effects can also play a significant role in low open area etch endpoint via optical emission spectroscopy, and can easily lead to false identification of endpoint. These effects commonly occur unless unusual restrictions on the acceptance angle of light entering the detector are implemented, so as to not collect any light that has reflected from the wafer surface or top electrode in the etch chamber.
机译：在低空区蚀刻中，尽管在研究和开发方面取得了明显的成功，但使用光发射光谱进行终点检测已证明在制造中非常具有挑战性。在这里，我们确定了实现强大的端点检测所面临的两个障碍。 1）取决于处理条件，晶圆边缘对蚀刻的开放面积贡献介于1％和6％之间，因此，对于图案面积小于10％的刻蚀，在端点检测方案中不能忽略晶片的边缘。 2）薄膜干涉测量法的影响还可以通过光发射光谱学在低开口面积蚀刻终点中发挥重要作用，并且很容易导致终点的错误识别。这些效果通常会发生，除非对进入检测器的光的接收角度实施了不寻常的限制，以便不收集从晶片表面或蚀刻室中的顶部电极反射的任何光。

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