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首页> 外文会议>IUTAM Symposium on Field Analyses for Determination of Material Parameters - Experimental and Numerical Aspects Jul 31-Aug 4, 2000 Kiruna, Sweden >EVALUATION METHOD OF INTERFACE STRENGTH BETWEEN THIN FILMS IN ADVANCED LSI
【24h】

EVALUATION METHOD OF INTERFACE STRENGTH BETWEEN THIN FILMS IN ADVANCED LSI

机译：先进LSI薄膜间界面强度的评价方法。

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This paper aims to develop a method for evaluating the interface strength between thin films on a silicon substrate of LSI. Although several methods have been proposed, plastic deformation and fracture of thin metal film bring about ambiguity in the magnitude of the interface strength obtained. Especially, it is important to determine the criterion of delamination crack initiation from the edge where the stress concentrates due to the mismatch of elastic deformation. In this study, an evaluation method is proposed, and the validity is examined by experiments on Cu (conductor metal)/TaN (barrier metal) interface on a silicon substrate. The stress intensity at the delamination crack initiation is successfully analyzed by the boundary element method (BEM).
机译：本文旨在开发一种评估LSI硅基板上薄膜之间界面强度的方法。尽管已经提出了几种方法，但是金属薄膜的塑性变形和断裂导致所获得的界面强度的大小不明确。特别地，重要的是确定由于弹性变形的不匹配而从应力集中的边缘开始分层裂纹的判据。在这项研究中，提出了一种评估方法，并通过对硅衬底上的Cu（导体金属）/ TaN（势垒金属）界面进行实验来检验其有效性。通过边界元方法（BEM）成功地分析了分层裂纹萌生时的应力强度。

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