Electron. Telecommun. Res. Inst., Daejeon, South Korea;
机译:使用带IMD3消除的并联组合晶体管的线性InGaP / GaAs HBT功率放大器
机译:通过降低第二,第三谐波和第三IMD的预失真,可实现高功率放大器的极高线性度
机译:使用自抵消方案的宽动态范围模拟预失真型线性化器
机译:微波晶体管中预失真线性化器的IMD消除特性
机译:大功率碳化硅和氮化镓场效应晶体管的微波非线性建模和有源倍频器设计。
机译:钝化AlGaN / GaN高电子移动晶体管的大信号线性和高频噪声
机译:5 GHz HTS谐振器中IMD行为的精确测量和非线性微波特性的评估
机译:伪形In(x)Ga(1-x)as / In(0.52)al(0.48)作为调制掺杂场效应晶体管的低温微波特性