Niihama National College of Technology, 7-1 Yagumu-cho Niihama Ehime, Japan;
Faculty of Engineering, Tokushima University, 2-1 Minami jyosamjima-cyo Tokushima, Japan;
Faculty of Engineering, Tokushima University, 2-1 Minami jyosamjima-cyo Tokushima, Japan;
Japan Synchrotron Radiation Research lnstitute/SPring-8, 1-1-1, Kouto, Sayo-cho, Sayo-gun, Hyogo Japan;
Kobe City College of Technology, 8-3 Gakuenhigasimachi Nishiku Kobe Kyogo Japan;
cr-n film; residual stress; arc ion plating; crystal structure; surface morphology; synchrotron radiation;
机译:使用同步加速器辐射研究加热对TiN膜中残余应力的影响
机译:通过气溶胶沉积在室温下沉积的BATIO3薄膜残余应力的同步X射线微折磨研究
机译:通过气溶胶沉积在室温下沉积的BATIO3薄膜残余应力的同步X射线微折磨研究
机译:激光金属沉积的残余应力同步辐射的建模与实验测量Ti-6Al-4V
机译:通过同步加速器辐射对纳米结构涂层中的残余应力进行无损评估。
机译:同步辐射法射频溅射WC-Co薄膜的结构和形貌数据集
机译:反应离子电镀沉积Cr-N膜的性质。
机译:LDRD最终报告 - 研究沉积磁性薄膜在磁记忆技术上的工艺整合对辐射强化CmOs器件和电路的影响 - LDRD项目(FY99)