A 512Kb Flash EEPROM For A 32 Bit Microcontroller

机译：用于32位微控制器的512Kb Flash EEPROM

获取原文

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

A Flash EEPROM Using A New Cell And New Circuit Techniques To Overcome Performance And Process Constraints Associated With A Flash EEPROM Will Be Described. The Newly Developed Flash EEPROM Module Embedded In A 32 Bit Microcontroller Has Achieved A Word Programming Time Of Less Than 10us, An Array Erase Time Of Less Than 100ms, And A System Operating Frequency Of Over 25MHz.

机译：将描述一种使用新单元和新电路技术来克服与闪存EEPROM相关的性能和工艺约束的闪存EEPROM。嵌入到32位微控制器中的最新开发的Flash EEPROM模块实现了不到10us的字编程时间，不到100ms的阵列擦除时间以及超过25MHz的系统工作频率。

著录项

来源
《》|1991年|P.87-88|共2页
会议地点
作者
Kuo; C.; Toms; T.;
展开▼
作者单位

展开▼
会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. A 512-kb flash EEPROM embedded in a 32-b microcontroller [J] . Kuo C., Weidner M. IEEE Journal of Solid-State Circuits . 1992,第4期

机译：嵌入32-b微控制器中的512-kb Flash EEPROM
2. A 512KB MONOS type Flash Memory Module Embedded In a Microcontroller [J] . Toshihiro Tanaka, Hiroyuki Tanikawa, Takashi Yamaki, 電子情報通信学会技術研究報告. シリコン材料·デバイス. Silicon Devices and Materials . 2003,第260期

机译：嵌入在微控制器中的512KB MONOS型闪存模块
3. A 512KB MONOS type Flash Memory Module Embedded In a Microcontroller [J] . Toshihiro Tanaka, Hiroyuki Tanikawa, Takashi Yamaki, 電子情報通信学会技術研究報告. 集積回路. Integrated Circuits and Devices . 2003,第262期

机译：嵌入在微控制器中的512KB MONOS型闪存模块
4. A 512Kb Flash EEPROM For A 32 Bit Microcontroller [C] . Kuo C., Toms T., Institute of Electric and Electronic Engineer Symposium on VLSI Circuits . 1991

机译：用于32位微控制器的512KB闪存EEPROM
5. Study of degradation in tunneling oxide thin films in EEPROM and FLASH EEPROM test stuctures. [D] . Chen, Chun. 1997

机译：研究EEPROM和FLASH EEPROM测试结构中隧穿氧化物薄膜的退化。
6. Review on Non-Volatile Memory with High-k Dielectrics: Flash for Generation Beyond 32 nm [O] . Chun Zhao, Ce Zhou Zhao, Stephen Taylor, 2014

机译：高k电介质的非易失性存储器述评：闪存可产生超过32 nm的光
7. Dual-bit/cell SONOS flash EEPROMs: impact of channel engineering on programming speed and bit coupling effect [O] . DATTA A, BHARATH KUMAR P, MAHAPATRA S 2007

机译：双位/单元SONOS闪存EEPROM：通道工程对编程速度和位耦合效应的影响
8. In the Matter of Certain EPROM, EEPROM, Flash Memory, and Flash Microcontroller211 Semiconductor Devices, and Products Containing Same. Investigation No. 337-TA-395 [R] . 1998

机译：在某些EpROm，EEpROm，闪存和闪存微控制器211半导体器件以及包含它的产品中。调查编号337-Ta-395

A 512Kb Flash EEPROM For A 32 Bit Microcontroller

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅