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【24h】

Molecular beam epitaxial growth of GaN on 3C-SiC/Si(111) substrates using a thick AlN buffer layer

机译：使用厚AlN缓冲层在3C-SiC / Si（111）衬底上进行GaN的分子束外延生长

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Hexagonal GaN films (/spl sim/3 /spl mu/m) were grown on 3C-SiC/Si(111) and carbonized Si(111) substrates using a thick AlN buffer. Cracks are observed on the surface of the GaN film grown on the carbonized Si(111), while no cracks are visible on the 3C-SiC/Si(111). XRD exhibits polycrystalline nature of the GaN film grown on the carbonized Si(111) due to poorer crystalline quality of this substrate. Raman spectra reveal that all GaN layers are under tensile stress, and the GaN layer grown on 3C-SiC/Si(111) shows a very low stress value of /spl sigma//sub xx/=0.65 GPa. In low-temperature photoluminescence spectra the remarkable donor-acceptor-pair recombination and yellow band can be attributed to the incorporation of Si impurities from the decomposition of SiC.
机译：使用厚AlN缓冲液在3C-SiC / Si（111）和碳化Si（111）衬底上生长六角形GaN膜（/ spl sim / 3 / spl mu / m）。在碳化的Si（111）上生长的GaN膜表面观察到裂纹，而在3C-SiC / Si（111）上看不到裂纹。由于该衬底的较差的晶体质量，XRD表现出在碳化的Si（111）上生长的GaN膜的多晶性质。拉曼光谱显示所有GaN层都处于拉应力下，并且在3C-SiC / Si（111）上生长的GaN层显示出非常低的应力值/ spl sigma // sub xx / = 0.65 GPa。在低温光致发光光谱中，显着的供体-受体对复合和黄带可归因于SiC分解过程中掺入的Si杂质。

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