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【24h】

More-than-Universal Mobility in Double-Gate SOI p-FETs with Sub-10-nm Body Thickness -Role of Light-Hole Band and Compatibility with Uniaxial Stress Engineering

机译：厚度小于10nm的双栅极SOI p-FET的迁移率超乎寻常-光孔带的作用以及与单轴应力工程的兼容性

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Hole mobility (驴h) enhancement by double gate (DG) mode in (001)/≪110≫ ultrathin-body SOI pFETs with sub-10nm SOI thickness (TSOI) is investigated. It is found 驴h in DG mode (驴DG) is greatly enhanced in all the measured TSOI in comparison with single gate mode. 驴DG of sub-10nm TSOI exceeds even the universal mobility at high surface carrier densities. The higher 驴DG is attributed to average effective mass reduction due to a population increase in the light hole band. Subband calculations confirm this model. It is also demonstrated that higher 驴DG is further enhanced by uniaxial stress.
机译：在（001）/ ≪110≫ SOI厚度小于10nm的超薄体SOI pFET中通过双栅（DG）模式增强空穴迁移率（驴 h ）（T SOI ）进行调查。发现与单门模式相比，在所有测量的T SOI 中，在DG模式下的驴 h 都大大增强了（驴 DG ）。在高表面载流子密度下，低于10nm的T SOI 的驴 DG 甚至超过了通用迁移率。较高的驴 DG 归因于平均有效质量下降，这是由于光孔带中的种群增加所致。子带计算证实了该模型。还表明，单轴应力可进一步提高较高的驴 DG 。

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