【24h】

The optimization of single step STI CMP

机译:单步STI CMP的优化

获取原文

摘要

Purpose of this paper is to give an integrated overview of a single step STI CMP for trench type DRAMs. The cerium oxide slurry with surfactant is a good choice for STI CMP process. During these processes are not only the CMP parameters will impact the planarization but also the STI depth and gap fill profile.
机译:本文的目的是为沟槽型DRAM提供单步STI CMP的综合概述。带有表面活性剂的氧化铈浆料是STI CMP工艺的理想选择。在这些过程中,不仅CMP参数会影响平坦化,而且还会影响STI的深度和间隙填充轮廓。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号