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TEMPERATURE- AND INTENSITY-DEPENDENT VOLTAGE SPECTROSCOPYOF RECOMBINATION CENTRES IN SILICON SOLAR CELLS

机译：硅太阳能电池中与温度和强度有关的电压谱复合中心

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New methods to characterize recombination centres in silicon, the temperature-dependent quantum efficiency of the open-circuit voltage (TQEVoc) and the temperature- and intensity-dependent voltage spectroscopy (TIVS) of solar cells, are introduced. In the latter, the intensity dependence of the voltage is measured attemperatures between 10 and 190 °C. These techniques are demonstrated here with a solar cell fabricated onaluminium-doped Czochralski, whose lifetime is limited by known aluminium-induced defects. The new methods are in good agreement with TDLS, TIDLS and DLTS measurements available in the literature and also with a similar method based on the temperature-dependent quantum efficiency of the short-circuit current (TQEJsc). This investigation shows that TQEVoc and TIVS are capable of determining the energy level and the temperaturedependence of the electron and hole capture cross section of defects in solar cells.
机译：介绍了表征硅复合中心的新方法，开路电压的温度相关量子效率（TQEVoc）以及太阳能电池的温度和强度相关电压谱（TIVS）。在后者中，电压的强度依赖性在 温度在10至190°C之间。这些技术在此处制造的太阳能电池上得到了证明。 掺杂铝的切克劳斯基（Czochralski），其寿命受到已知的铝诱导缺陷的限制。新方法与文献中可用的TDLS，TIDLS和DLTS测量非常吻合，并且与基于温度的短路电流量子效率（TQEJsc）类似的方法也非常吻合。该研究表明，TQEVoc和TIVS能够确定能级和温度 电子和空穴俘获截面的依赖性取决于太阳能电池中的缺陷。

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