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首页> 外文会议>ARFTG Microwave Measurement Conference >W-band passive load pull system for on-wafer characterization of high power density N-polar GaN devices based on output match and drive power requirements vs. gate width
【24h】

W-band passive load pull system for on-wafer characterization of high power density N-polar GaN devices based on output match and drive power requirements vs. gate width

机译：用于基于输出匹配的高功率密度N极GaN器件的W波段被动载荷拉动系统，基于输出匹配和驱动电源要求与栅极宽度

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A W-band on-wafer passive load pull system constructed for the characterization of high power density N-polar GaN devices is presented. N-Polar GaN's large RF voltage swing enables high power densities but also increases the power match impedance which must be synthesized with the limited on-wafer tuning range. Increasing test cell gate width to decrease impedance increases the system's drive power requirement. The tradeoff between these is analyzed, showing that a passive load pull system can characterize a wide range of devices. This is demonstrated with measured data from an N-polar GaN device exhibiting 4.1 W/mm power density at 94 GHz.
机译：提出了用于为高功率密度N极GaN器件表征构建的W波段晶圆被动载拉系统。 N极GaN的大型RF电压摆动使得能够高功率密度，但也增加了电力匹配阻抗，必须使用有限的晶圆调谐范围合成。增加测试单元栅极宽度降低阻抗增加了系统的驱动功率要求。分析了这些之间的权衡，表明被动载荷拉动系统可以表征各种设备。通过从94GHz的N极GAN设备的测量数据证明了这一点，其测量数据显示为4.1W / mm功率密度。

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