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首页> 外文会议>Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006) >Ultra-Thin-Body P-MOSFET Featuring Silicon-Germanium Source/Drain Stressors With High Germanium Content Formed by Local Condensation
【24h】

Ultra-Thin-Body P-MOSFET Featuring Silicon-Germanium Source/Drain Stressors With High Germanium Content Formed by Local Condensation

机译：具有局部锗形成的高锗硅锗源极/漏极应力源的超薄P型MOSFET

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We report the demonstration of a strained Ultra-Thin-Body (UTB) p-channel field-effect transistor (pFET) with a silicon body thickness of 8 nm and silicon-germanium (SiGe) source and drain (S/D) stressors with 46% germanium (Ge). The Ge incorporation into the S/D regions is the highest reported to date, and is realized using a novel Ge condensation process in the S/D regions, performed for the first time on UTB transistors. Structurally, the SiGe S/D regions flank the Si channel on both the source and drain edges, and contribute to a large lateral compressive channel strain. Significant I_(Dsat) enhancement is observed at a physical gate length L_G of 70 nm. Excellent DD3L and subthreshold swing characteristics were achieved.
机译：我们报告了一个应变的超薄体（UTB）p沟道场效应晶体管（pFET）的演示，其硅体厚度为8 nm，硅锗（SiGe）源和漏（S / D）应力源与46％锗（Ge）。 Ge掺入S / D区域是迄今报道的最高水平，并且是通过在S / D区域中使用新颖的Ge缩合工艺实现的，这是首次在UTB晶体管上进行的。在结构上，SiGe S / D区位于源极和漏极边缘上的Si通道的侧面，并导致较大的横向压缩通道应变。在70 nm的物理栅极长度L_G处观察到了明显的I_（Dsat）增强。获得了出色的DD3L和亚阈值摆幅特性。

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