【24h】

CMOS-Compatible Zero-Mask One Time Programmable (OTP)Memory Design

机译:CMOS兼容零掩膜一次性可编程(OTP)存储器设计

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摘要

A method to design CMOS-compatible diode-based One-Time Programmable (OTP) memory is discussed in this paper. In particular the program disturb problem is resolved by using diode drivers with sufficiently high breakdown voltage. The choices of memory elements and various available diodes in a standard CMOS process are carefully studied to obtain an optimal combination. Different memory cells were fabricated in standard 0.18-μm CMOS technology to verify the functionality of the design.
机译:本文讨论了一种设计基于CMOS兼容二极管的一次性可编程(OTP)存储器的方法。特别地,通过使用具有足够高的击穿电压的二极管驱动器解决了程序干扰问题。仔细研究了标准CMOS工艺中存储元件和各种可用二极管的选择,以获得最佳组合。采用标准的0.18-μmCMOS技术制造了不同的存储单元,以验证设计的功能。

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