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首页> 外文会议>European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition >NANO IMPRINT LITHOGRAPHY OF TEXTURES FOR LIGHT TRAPPING IN THIN FILM SILICON SOLAR CELLS
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NANO IMPRINT LITHOGRAPHY OF TEXTURES FOR LIGHT TRAPPING IN THIN FILM SILICON SOLAR CELLS

机译：用于薄膜硅太阳能电池中光陷获的纳米印相平版印刷术

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Nano Imprint Lithography (NIL) is a versatile and commercially viable technology for fabrication ofstructures for light trapping in solar cells. We demonstrate the applicability of NIL in thin film silicon solar cells insubstrate configuration, where NIL is used to fabricate a textured rear contact of the solar cells. We applied randomstructures, based on the natural texture of SnO:F grown by APCVD, and designed 2D periodic structures and showthat for single junction ?c-Si cells these textured rear contacts lead to an increase of J_(sc) of more than 40 % incomparison to cells with flat rear contacts. Cells on optimized periodic textures showed higher fill factors which canbe attributed to reduced microcrack formation, leading to less shunting in comparison to cells on random textures.
机译：纳米压印光刻（NIL）是一种通用且商业可行的技术，用于制造 太阳能电池中的光捕获结构。我们证明了NIL在薄膜硅太阳能电池中的适用性 基板配置，其中NIL用于制造太阳能电池的纹理化后触点。我们应用了随机 根据APCVD所生长的SnO：F的自然纹理构造结构，并设计了2D周期性结构并显示 对于单结？c-Si电池，这些纹理化的后触点导致J_（sc）的增加超过40％。 与带有扁平后触点的电池相比。优化的周期性纹理上的单元格显示出较高的填充因子，可以 归因于微裂纹形成的减少，与随机纹理上的细胞相比，导致更少的分流。

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