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首页> 外文会议>European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems >TCAD prediction of dose effects on MOSFETs with ECORCE
【24h】

TCAD prediction of dose effects on MOSFETs with ECORCE

机译：TCAD对MOSFET与ECORCE的剂量效应预测

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Response to Total Ionizing Dose of a component varies widely depending on applied bias, temperature and dose rate. Thus testing a component that will be used in radiative environment implies to experimentally check all the combinations of these parameters that will be encountered during the mission. To ease this operation, we propose to build a TCAD model from a reduce set of experiments, and then use this model to predict the behavior of components whatever the bias, the temperature, the total dose and the dose rate is, even if the value has not been tested experimentally.
机译：对组分的总电离剂量的反应根据施加的偏压，温度和剂量率而变化广泛。因此，测试将用于辐射环境中的组件意味着实验检查在使命期间将遇到的这些参数的所有组合。为了简化此操作，我们建议从减少一组实验构建TCAD模型，然后使用该模型来预测，即使偏差，温度，总剂量和剂量率，也可以预测组件的行为，即使值也是值尚未通过实验测试。

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