Power converter; Gate driver; Negative bias;
机译:HfSiON栅介质pMOSFET中双极性电荷陷阱引起的异常负偏置温度不稳定性。
机译:一种600 V高压栅极驱动IC,具有优异的允许的负V-S偏置能力,用于电子模式GaN电源装置
机译:具有Hf_xZr_(1-x)O_2和HfO_2 /金属栅叠层的p-MOSFET在动态负偏置应力和负偏置温度不稳定性之后的异常栅极电流驼峰
机译:具有自驱动负偏置发生器的非隔离双极栅极驱动器,仅在高端应用
机译:具有氧氮化物栅极电介质的p + -poly PMOSFET中的热孔退化和负偏压温度不稳定性(NBTI)增强。
机译:危险驾驶员的负偏
机译:危险驾驶员的消极偏见。