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Growth of vertical silicon nanowires array using electrochemical alternative

机译：使用电化学替代方法生长垂直硅纳米线阵列

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Silicon nanowires have been grown on Si (111) substrate using the vapor-liquid-solid (VLS) via anodic aluminum oxide (AAO) fabrication and gold plating deposition. The pore diameters of AAO are expected to be closely related with the size of gold catalyst as well as the diameter of the subsequently grown silicon nanowires. The nanochannel diameter of AAO template was controlled by modifying the applied potential in different values. Filling the small amount of Au at the bottom of AAO template was realized by electrochemically plating technique. The sub-20nm diameter gold nanowires were formed thanks to long plating duration. The growth of vertical silicon nanowires by VLS techniques was carried out in different growth time using disilane as a source gas.
机译：硅纳米线已经通过阳极氧化铝（AAO）制作和镀金沉积，使用气液固（VLS）在Si（111）衬底上生长。期望AAO的孔径与金催化剂的尺寸以及随后生长的硅纳米线的直径紧密相关。通过以不同的值修改施加的电势来控制AAO模板的纳米通道直径。通过电化学电镀技术实现了在AAO模板底部填充少量Au。由于电镀时间长，形成了直径小于20nm的金纳米线。通过VLS技术的垂直硅纳米线的生长是在不同的生长时间内使用乙硅烷作为原料气进行的。

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