机译:合并的DRAM /逻辑LSI的高性能/低功耗高速缓存架构
机译:具有内置缓存的低功耗,低延迟DRAM的控制器架构
机译:使用CMOS亚微米技术的VLSI实现低功耗,高速SRAM单元和DRAM单元
机译:3D实现的SRAM / DRAM混合缓存架构,可实现高性能和低功耗
机译:低功耗和工艺变化感知型SRAM和Cache在SRAM电路,架构和组织中的设计容错能力。
机译:用于低延迟和低功耗3D堆叠DRAM的DRAM中缓存管理
机译:采用CmOs亚微米技术VLsI实现低功耗,高速sRam单元和DRam单元