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Bandgap optimized III–V (GaAsP) nanowire on silicon tandem solar cell, device and data

机译：硅串联太阳能电池，器件和数据上的带隙优化III–V（GaAsP）纳米线

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One way to achieve the next generation “Beyond Silicon” solar cell involves combining III–V with silicon. Silicon provides a cheap substrate, while the III–V materials supply a wide range of direct bandgaps that has demonstrated high conversion efficiencies in multi-junction solar cells. Their significant material differences have, however, prohibited commercial realization. The use of nanowires as the top junction removes any issues related to strain at the III–V/Si interface, which is normally induced by the mismatch in lattice coefficient, thermal expansion coefficients and polaron-polar interface. Here, we present preliminary results from the first tandem solar cell where the top cell consists of bandgap optimized, III–V nanowires (GaAsP) and the bottom cell is in the silicon substrate. The grown structure was contacted, using indium-tin-oxide and characterized under AM1.5G illumination. All key elements are present in the device, and only optimizations are now needed towards a commercially viable solar cell.
机译：实现下一代“超越硅”太阳能电池的一种方法是将III–V与硅结合。硅提供了廉价的衬底，而III–V材料提供了多种直接带隙，这些带隙已证明在多结太阳能电池中具有很高的转换效率。但是，它们的重大实质性差异已禁止商业实现。使用纳米线作为顶部结消除了与III–V / Si界面处的应变有关的任何问题，该问题通常是由晶格系数，热膨胀系数和极性/非极性界面的不匹配引起的。在这里，我们介绍了第一个串联太阳能电池的初步结果，其中顶部电池由带隙优化的III–V纳米线（GaAsP）组成，底部电池位于硅基板中。使用氧化铟锡接触生长的结构，并在AM1.5G照明下进行表征。所有关键元件都存在于设备中，现在仅需对商业上可行的太阳能电池进行优化。

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