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Post-bond test for TSVs using voltage division

机译：使用分压器对TSV进行键合后测试

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Through Silicon Vias (TSVs) are the transmission lines between different bonding layers and are indispensable elements in three-dimensional integrated circuits (3D-ICs). But because of process problems, kinds of defects exist in TSVs, including open defects and short defects. A variety of test methods have been proposed for open defects, but few can deal with both open defects and short defects. In this work, a post-bond method is presented for both defects by using voltage division. TSVs with defects can be located by testing the output pulses. HSPICE simulations including process parameter variations show the effectiveness of the method.
机译：硅通孔（TSV）是不同键合层之间的传输线，并且是三维集成电路（3D-IC）中必不可少的元素。但是由于工艺问题，TSV中存在各种缺陷，包括开放缺陷和短缺陷。已经提出了多种测试开放缺陷的方法，但是很少能同时处理开放缺陷和短缺陷。在这项工作中，提出了通过使用分压法对两个缺陷进行后键合的方法。可以通过测试输出脉冲来定位有缺陷的TSV。 HSPICE仿真（包括过程参数变化）证明了该方法的有效性。

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