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【24h】

A surface-field-based modeling platform for heavily doped junctionless nanowire MOSFETs

机译：基于表面场的重掺杂无结纳米线MOSFET建模平台

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A continuous surface-field based modeling platform for heavily doped junctionless nanowire transistors is presented. By constructing specific transformation variables, a straightforward relation between the surface potential and field is identified to facilitate an efficient model for calculating the (long-channel) drain current from the oxide-interface boundary condition with no need of a surface-potential approach. Such a surface-field-based modeling platform may enable a paradigm shift in compact modeling strategy, which is also applicable to device doping optimization.
机译：提出了一种基于连续表面场的重掺杂无结纳米线晶体管建模平台。通过构造特定的变换变量，可以确定表面电势与场之间的直接关系，从而有助于建立有效的模型，从而无需表面电势方法即可根据氧化物界面边界条件计算（长沟道）漏极电流。这种基于表面场的建模平台可以实现紧凑建模策略中的范式转换，这也适用于器件掺杂优化。

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