• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>IEEE International Nanoelectronics Conference >Designer Ge quantum-dot phototransistors for highly-integrated, broadband optical interconnects
【24h】

Designer Ge quantum-dot phototransistors for highly-integrated, broadband optical interconnects

机译：设计师Ge量子点光电晶体管，用于高度集成的宽带光学互连

获取原文
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We report high-responsivity Ge quantum dots (QDs) MOS phototransistors as on-chip transducers for highly-integrated, broadband Si-based optical interconnects. Self-organized heterostructure of Ge-QD/SiO2/Si-channel is fabricated in a single step through selective oxidation of SiGe nano-pillars over a Si3N4 buffer layer on Si substrates. Dark current densities (10-7A/mm2), photocurrent-to-dark current ratio (~ 107) and photoresponsivities (>10 A/W), external quantum efficiency (~240%), and response time (1.4ns) are measured on the Ge-QD phototransistors under 850 nm illumination. Detection wavelength is tunable from near infrared to near ultraviolet by reducing the QD size from 90 to 7 nm, and the optimal photoresponsivity is tailored by the QD size and effective thickness of gate dielectrics.
机译：我们报告高响应性Ge量子点（QD）MOS光电晶体管作为片上换能器，用于高度集成的宽带Si基光学互连。 Ge-QD / SiO2 / Si通道的自组织异质结构是通过在Si衬底上的Si3N4缓冲层上选择性氧化SiGe纳米柱而在单个步骤中制造的。测量暗电流密度（10-7A / mm2），光电流与暗电流之比（〜107）和光响应（> 10 A / W），外部量子效率（〜240％）和响应时间（1.4ns）在850 nm光照下的Ge-QD光电晶体管上。通过将QD尺寸从90 nm减小到7 nm，可以将检测波长从近红外调谐到近紫外，并且通过QD尺寸和栅极电介质的有效厚度来定制最佳光响应性。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号