Modeling of 0.18 μm NMOSFETs for TID effect

机译：用于TID效应的0.18μmNMOSFET建模

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Based on total ionizing dose (TID) irradiation tests, transistor irradiation models for both strip-gate and edgeless structures were created. Only 5% model error was incurred in off state or subthreshold region and a lower 1% error in linear region or saturation region. Edgeless structure was demonstrated to be radiation hardened. The effectiveness of proposed models was validated by application to a reference circuit simulation.

机译：基于总电离剂量（TID）辐照测试，创建了带栅和无边缘结构的晶体管辐照模型。在关闭状态或亚阈值范围内，仅发生5％的模型误差，而在线性区域或饱和度范围内，仅发生1％的模型误差。无边缘结构被证明是辐射硬化的。通过将其应用于参考电路仿真，验证了所提出模型的有效性。

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来源
《IEEE International Nanoelectronics Conference》|2016年|1-2|共2页
会议地点
作者
TieHu Li; YinTang Yang; Tao Liu;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类
关键词
Transistors; Radiation effects; Integrated circuit modeling; Logic gates; Radiation hardening (electronics); Circuit simulation;

机译：晶体管;辐射效应;集成电路建模;逻辑门;辐射硬化（电子）;电路仿真;

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