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Highly phase-linear self-biased CMOS IR-UWB LNA with Sub-ps group-delay variations

机译：具有Sub-ps组延迟变化的高相位线性自偏置CMOS IR-UWB LNA

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A self-biased resistive-feedback CMOS low-noise amplifier (LNA) in current-reusing fashion is presented for impulse-radio ultra-wideband (IR-UWB) applications. Using two stages of resistive-feedback amplifiers with inductive peaking, wideband input, inter-stage, and output matching is achieved. Moreover, optimizing S21 pole frequencies, small group-delay variation as well as high and flat S21 are simultaneously achieved. Consequently, state-of-the-art group-delay variation of ±4.5ps is achieved where S21 is 9±1dB. Due to employing resistive feedback, both stages adopt self-biasing technique (power and area saving). Thus, noise contribution of bias circuitry at the input will be totally eliminated. A small NF of 1.91dB (@6GHz) is achieved where across the whole frequency band of interest (i.e., 3-12GHz) NF remains below 2.35dB. The proposed UWB LNA is designed and simulated in 0.18μm CMOS technology, and dissipates only 5.42mW under supply voltage of 1.3V.
机译：提出了一种电流重用的自偏置电阻反馈CMOS低噪声放大器（LNA），用于脉冲无线电超宽带（IR-UWB）应用。使用具有电感峰值的两级电阻反馈放大器，可实现宽带输入，级间和输出匹配。而且，同时实现了优化的S21极点频率，较小的组延迟变化以及较高和平坦的S21。因此，在S21为9±1dB的情况下，可获得±4.5ps的最新组延迟。由于采用了电阻反馈，因此两个阶段均采用自偏置技术（节省功率和面积）。因此，将完全消除偏置电路在输入端的噪声影响。在整个感兴趣的频段（即3-12GHz）内NF保持在2.35dB以下，从而实现了1.91dB（@ 6GHz）的小NF。拟议的UWB LNA采用0.18μmCMOS技术进行设计和仿真，在1.3V的电源电压下仅耗散5.42mW。

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