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A 81nW Error Amplifier Design for Ultra Low Leakage Retention Mode Operation of 4Mb SRAM Array in 40nm LSTP Technology

机译：40NM LSTP技术中4MB SRAM阵列超低漏保留模式操作的81NW误差放大器设计

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In advanced technology nodes, static power consumption dominates system power in applications that do not operate at high frequency. SRAM leakage is a major component of static power consumption of a SOC. In this paper, we propose a 81nW ultra low power error amplifier to control retention leakage of 4Mb SRAM array. The overall memory subsystem leakage power reduces by 50% from no retention case and 33% from the conventional retention solution at TT (25°C). At FNSP (140°C) leakage power reduces by 75% from no retention & 69% from conventional solution. Monte Carlo analysis shows the 3σ variations are within guard band limits.

机译：在先进的技术节点中，静态功耗占据在高频工作的应用中的系统电源。 SRAM泄漏是SoC的静态功耗的主要组成部分。在本文中，我们提出了81NW超低功率误差放大器，以控制4MB SRAM阵列的保留泄漏。整体内存子系统泄漏功率从无保留情况降低了50％，并且从TT（25°C）的传统保留溶液中的33％。在FNSP（140°C）下，漏电功率从常规溶液中没有滞留和69％的75％减少了75％。 Monte Carlo分析显示3σ变化在保护带内限制。

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来源
《IEEE International System-on-Chip Conference》|2018年|329p|共6页
会议地点
作者
Ankush Mamgain; Anuj Grover;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类 TN40-53;
关键词
Random access memory; Transistors; Leakage currents; Rails; Computer architecture; Stability analysis; Power demand;

机译：随机存取存储器;晶体管;漏电流;轨道;计算机架构;稳定性分析;电力需求;

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