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首页> 外文会议>Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics >High performance X-band LNAs using a 0.25 μm GaN technology
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High performance X-band LNAs using a 0.25 μm GaN technology

机译：采用0.25μmGaN技术的高性能X波段LNA

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This work presents two LNAs, referred to in the following as LNA A and LNA B, respectively operating in the 8-10 GHz band and 10-12 GHz band; together they cover the full X-band. The power consumption results very low, being equal to 0.9 W for each amplifier. The total area for each LNA is 3.0×1.5 mm. A very low noise figure has been achieved, namely of 1.1 dB (LNA A) and 1.3 dB (LNA B). The peak gain is 27 dB (LNA A) and 25 dB (LNA B). The obtained results mark an increase in performance for the 0.25 μm GaN technology in terms of noise figure, gain and matching, improving the current state of the art of GaN-based LNAs.
机译：这项工作提出了两个LNA，以下分别称为LNA A和LNA B，它们分别在8-10 GHz频带和10-12 GHz频带中工作。它们一起覆盖了整个X波段。功耗非常低，每个放大器等于0.9W。每个LNA的总面积为3.0 x 1.5毫米。已经实现了非常低的噪声系数，即1.1 dB（LNA A）和1.3 dB（LNA B）。峰值增益为27 dB（LNA A）和25 dB（LNA B）。获得的结果标志着0.25μmGaN技术在噪声系数，增益和匹配方面的性能提高，从而改善了GaN基LNA的现有技术水平。

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